Coupling Topological Insulator SnSb2 Te4 Nanodots with Highly Doped Graphene for High-Rate Energy Storage

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 2 vom: 22. Jan., Seite e1905632
1. Verfasser: Wu, Zhibin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liang, Gemeng, Pang, Wei Kong, Zhou, Tengfei, Cheng, Zhenxiang, Zhang, Wenchao, Liu, Ye, Johannessen, Bernt, Guo, Zaiping
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article SnSb2Te4 batteries heterojunctions topological insulators