Defect-Engineered Atomically Thin MoS2 Homogeneous Electronics for Logic Inverters

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 2 vom: 21. Jan., Seite e1906646
1. Verfasser: Gao, Li (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liao, Qingliang, Zhang, Xiankun, Liu, Xiaozhi, Gu, Lin, Liu, Baishan, Du, Junli, Ou, Yang, Xiao, Jiankun, Kang, Zhuo, Zhang, Zheng, Zhang, Yue
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article defect engineering electronic structure modulation logic inverters monolayer MoS2 sulfur vacancies