2D Ca3 Sn2 S7 Chalcogenide Perovskite : A Graphene-Like Semiconductor with Direct Bandgap 0.5 eV and Ultrahigh Carrier Mobility 6.7 × 104 cm2 V-1 s-1

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 51 vom: 27. Dez., Seite e1905643
Auteur principal: Du, Juan (Auteur)
Autres auteurs: Shi, Jun-Jie
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2019
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Ca3Sn2S7 monolayers direct bandgap semiconductors graphene-like linear electronic dispersion strong optical absorption ultrahigh carrier mobility