2D Ca3 Sn2 S7 Chalcogenide Perovskite A Graphene-Like Semiconductor with Direct Bandgap 0.5 eV and Ultrahigh Carrier Mobility 6.7 × 104 cm2 V-1 s-1

2D Ca3 Sn2 S7 Chalcogenide Perovskite : A Graphene-Like Semiconductor with Direct Bandgap 0.5 eV and Ultrahigh Carrier Mobility 6.7 × 104 cm2 V-1 s-1

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 51 vom: 27. Dez., Seite e1905643
1. Verfasser: Du, Juan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Shi, Jun-Jie
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Ca3Sn2S7 monolayers direct bandgap semiconductors graphene-like linear electronic dispersion strong optical absorption ultrahigh carrier mobility
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