Chemically Tuned p- and n-Type WSe2 Monolayers with High Carrier Mobility for Advanced Electronics

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 42 vom: 18. Okt., Seite e1903613
1. Verfasser: Ji, Hyun Goo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Solís-Fernández, Pablo, Yoshimura, Daisuke, Maruyama, Mina, Endo, Takahiko, Miyata, Yasumitsu, Okada, Susumu, Ago, Hiroki
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article chemical doping chemical vapor deposition complementary inverter p-n junction tungsten diselenide