© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 25 vom: 11. Juni, Seite e1808231
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| 1. Verfasser: |
Yang, Zheng
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Kim, Changsik,
Lee, Kwang Young,
Lee, Myeongjin,
Appalakondaiah, Samudrala,
Ra, Chang-Ho,
Watanabe, Kenji,
Taniguchi, Takashi,
Cho, Kyeongjae,
Hwang, Euyheon,
Hone, James,
Yoo, Won Jong |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2019
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
Fermi level depinning
high mobility
intrinsic MoS2
p-type
transistor |
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