Ultrahigh-Sensitive Broadband Photodetectors Based on Dielectric Shielded MoTe2 /Graphene/SnS2 p-g-n Junctions

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 6 vom: 01. Feb., Seite e1805656
1. Verfasser: Li, Alei (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chen, Qianxue, Wang, Peipei, Gan, Yuan, Qi, Tailei, Wang, Peng, Tang, Fangdong, Wu, Judy Z, Chen, Rui, Zhang, Liyuan, Gong, Youpin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials broadband photodetectors transition-metal dichalcogenides van der Waals heterostructures