The Semiconductor/Conductor Interface Piezoresistive Effect in an Organic Transistor for Highly Sensitive Pressure Sensors

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 6 vom: 15. Feb., Seite e1805630
Auteur principal: Wang, Zhongwu (Auteur)
Autres auteurs: Guo, Shujing, Li, Hongwei, Wang, Bin, Sun, Yongtao, Xu, Zeyang, Chen, Xiaosong, Wu, Kunjie, Zhang, Xiaotao, Xing, Feifei, Li, Liqiang, Hu, Wenping
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2019
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article field-effect piezoresistive effect pressure sensors transistors tunable sensitivity