The Semiconductor/Conductor Interface Piezoresistive Effect in an Organic Transistor for Highly Sensitive Pressure Sensors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 6 vom: 15. Feb., Seite e1805630
1. Verfasser: Wang, Zhongwu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Guo, Shujing, Li, Hongwei, Wang, Bin, Sun, Yongtao, Xu, Zeyang, Chen, Xiaosong, Wu, Kunjie, Zhang, Xiaotao, Xing, Feifei, Li, Liqiang, Hu, Wenping
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article field-effect piezoresistive effect pressure sensors transistors tunable sensitivity