Edge-Epitaxial Growth of 2D NbS2 -WS2 Lateral Metal-Semiconductor Heterostructures

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2018) vom: 22. Aug., Seite e1803665
1. Verfasser: Zhang, Yu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yin, Lei, Chu, Junwei, Shifa, Tofik Ahmed, Xia, Jing, Wang, Feng, Wen, Yao, Zhan, Xueying, Wang, Zhenxing, He, Jun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article NbS2-WS2 heterostructures controllable growth metal-semiconductor heterostructures metallic transition metal dichalcogenides (TMDs)