High-Mobility Helical Tellurium Field-Effect Transistors Enabled by Transfer-Free, Low-Temperature Direct Growth

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2018) vom: 18. Juli, Seite e1803109
1. Verfasser: Zhou, Guanyu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Addou, Rafik, Wang, Qingxiao, Honari, Shahin, Cormier, Christopher R, Cheng, Lanxia, Yue, Ruoyu, Smyth, Christopher M, Laturia, Akash, Kim, Jiyoung, Vandenberghe, William G, Kim, Moon J, Wallace, Robert M, Hinkle, Christopher L
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MBE growth high-mobility filed effect transistor low-temperature growth tellurium transfer-free device fabrication