Black Arsenic : A Layered Semiconductor with Extreme In-Plane Anisotropy

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 30 vom: 03. Juli, Seite e1800754
1. Verfasser: Chen, Yabin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chen, Chaoyu, Kealhofer, Robert, Liu, Huili, Yuan, Zhiquan, Jiang, Lili, Suh, Joonki, Park, Joonsuk, Ko, Changhyun, Choe, Hwan Sung, Avila, José, Zhong, Mianzeng, Wei, Zhongming, Li, Jingbo, Li, Shushen, Gao, Hongjun, Liu, Yunqi, Analytis, James, Xia, Qinglin, Asensio, Maria C, Wu, Junqiao
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D anisotropy black arsenic layered semiconductors