MoS2 Negative-Capacitance Field-Effect Transistors with Subthreshold Swing below the Physics Limit

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 28 vom: 21. Juli, Seite e1800932
Auteur principal: Liu, Xingqiang (Auteur)
Autres auteurs: Liang, Renrong, Gao, Guoyun, Pan, Caofeng, Jiang, Chunsheng, Xu, Qian, Luo, Jun, Zou, Xuming, Yang, Zhenyu, Liao, Lei, Wang, Zhong Lin
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2018
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article MoS2 transistors negative-capacitance effect short-channel effect subthreshold swing