Contact-Engineered Electrical Properties of MoS2 Field-Effect Transistors via Selectively Deposited Thiol-Molecules

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 18 vom: 23. Mai, Seite e1705540
Auteur principal: Cho, Kyungjune (Auteur)
Autres auteurs: Pak, Jinsu, Kim, Jae-Keun, Kang, Keehoon, Kim, Tae-Young, Shin, Jiwon, Choi, Barbara Yuri, Chung, Seungjun, Lee, Takhee
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2018
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article MoS2 charge injection contact engineering electrical transport thiol-molecules