Evidence for Itinerant Carriers in an Anisotropic Narrow-Gap Semiconductor by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 2 vom: 23. Jan.
1. Verfasser: Ju, Sailong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Bai, Wei, Wu, Liming, Lin, Hua, Xiao, Chong, Cui, Shengtao, Li, Zhou, Kong, Shuai, Liu, Yi, Liu, Dayong, Zhang, Guobin, Sun, Zhe, Xie, Yi
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article CsBi4Te6 angle-resolved photoemission spectroscopy itinerant carriers narrow-gap semiconductors