Organic Ferroelectric-Based 1T1T Random Access Memory Cell Employing a Common Dielectric Layer Overcoming the Half-Selection Problem

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 34 vom: 01. Sept.
Auteur principal: Zhao, Qiang (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Hanlin, Ni, Zhenjie, Liu, Jie, Zhen, Yonggang, Zhang, Xiaotao, Jiang, Lang, Li, Rongjin, Dong, Huanli, Hu, Wenping
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2017
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article ferroelectrics memory devices organic electronics organic field-effect transistors