Organic Ferroelectric-Based 1T1T Random Access Memory Cell Employing a Common Dielectric Layer Overcoming the Half-Selection Problem

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 34 vom: 01. Sept.
1. Verfasser: Zhao, Qiang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Hanlin, Ni, Zhenjie, Liu, Jie, Zhen, Yonggang, Zhang, Xiaotao, Jiang, Lang, Li, Rongjin, Dong, Huanli, Hu, Wenping
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ferroelectrics memory devices organic electronics organic field-effect transistors