Homogeneous 2D MoTe2 p-n Junctions and CMOS Inverters formed by Atomic-Layer-Deposition-Induced Doping

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 30 vom: 15. Aug.
1. Verfasser: Lim, June Yeong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Pezeshki, Atiye, Oh, Sehoon, Kim, Jin Sung, Lee, Young Tack, Yu, Sanghyuck, Hwang, Do Kyung, Lee, Gwan-Hyoung, Choi, Hyoung Joon, Im, Seongil
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D semiconductors atomic-layer-deposition-induced doping homogeneous complementary inverters p-n junction diodes α-MoTe2