Multi-Nonvolatile State Resistive Switching Arising from Ferroelectricity and Oxygen Vacancy Migration

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 24 vom: 15. Juni
1. Verfasser: Lü, Weiming (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Changjian, Zheng, Limei, Xiao, Juanxiu, Lin, Weinan, Li, Qiang, Wang, Xiao Renshaw, Huang, Zhen, Zeng, Shengwei, Han, Kun, Zhou, Wenxiong, Zeng, Kaiyang, Chen, Jingsheng, Ariando, Cao, Wenwu, Venkatesan, Thirumalai
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ferroelectric tunnel junctions multi-nonvolatile memories oxide interfaces oxygen vacancies resistive switching