Role of Charge Traps in the Performance of Atomically Thin Transistors

© 2017 The Authors. Published by WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 19 vom: 20. Mai
1. Verfasser: Amit, Iddo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Octon, Tobias J, Townsend, Nicola J, Reale, Francesco, Wright, C David, Mattevi, Cecilia, Craciun, Monica F, Russo, Saverio
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials MoTe2 current transients field-effect transistors surface states