Engineering Chemically Active Defects in Monolayer MoS2 Transistors via Ion-Beam Irradiation and Their Healing via Vapor Deposition of Alkanethiols

Engineering Chemically Active Defects in Monolayer MoS2 Transistors via Ion-Beam Irradiation and Their Healing via Vapor Deposition of Alkanethiols

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 18 vom: 07. Mai
1. Verfasser: Bertolazzi, Simone (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Bonacchi, Sara, Nan, Guangjun, Pershin, Anton, Beljonne, David, Samorì, Paolo
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article field-effect transistors ion-beam irradiation monolayer MoS2 sulfur vacancies thiol chemistry
Online verfügbar Volltext