Direct Observations of Nanofilament Evolution in Switching Processes in HfO2 -Based Resistive Random Access Memory by In Situ TEM Studies

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 10 vom: 15. März
1. Verfasser: Li, Chao (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Gao, Bin, Yao, Yuan, Guan, Xiangxiang, Shen, Xi, Wang, Yanguo, Huang, Peng, Liu, Lifeng, Liu, Xiaoyan, Li, Junjie, Gu, Changzhi, Kang, Jinfeng, Yu, Richeng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article electron holography energy-filtered image in situ TEM oxygen vacancies resistive switching