Graphene-β-Ga2 O3 Heterojunction for Highly Sensitive Deep UV Photodetector Application

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 48 vom: 12. Dez., Seite 10725-10731
Auteur principal: Kong, Wei-Yu (Auteur)
Autres auteurs: Wu, Guo-An, Wang, Kui-Yuan, Zhang, Teng-Fei, Zou, Yi-Feng, Wang, Dan-Dan, Luo, Lin-Bao
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2016
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Schottky junction deep UV light photodetector graphene responsivity wide bandgap