Graphene-β-Ga2 O3 Heterojunction for Highly Sensitive Deep UV Photodetector Application

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 48 vom: 12. Dez., Seite 10725-10731
1. Verfasser: Kong, Wei-Yu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wu, Guo-An, Wang, Kui-Yuan, Zhang, Teng-Fei, Zou, Yi-Feng, Wang, Dan-Dan, Luo, Lin-Bao
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Schottky junction deep UV light photodetector graphene responsivity wide bandgap