Transition-Metal Substitution Doping in Synthetic Atomically Thin Semiconductors

Transition-Metal Substitution Doping in Synthetic Atomically Thin Semiconductors

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 44 vom: 20. Nov., Seite 9735-9743
1. Verfasser: Gao, Jian (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Young Duck, Liang, Liangbo, Idrobo, Juan Carlos, Chow, Phil, Tan, Jiawei, Li, Baichang, Li, Lu, Sumpter, Bobby G, Lu, Toh-Ming, Meunier, Vincent, Hone, James, Koratkar, Nikhil
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article band structure chemical vapor deposition electronic properties monolayer transition-metal dichalcogenides transition-metal doping
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM264490568
003 DE-627
005 20231224210215.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2016 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201601104  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0881.xml 
035 |a (DE-627)NLM264490568 
035 |a (NLM)27646967 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Gao, Jian  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Transition-Metal Substitution Doping in Synthetic Atomically Thin Semiconductors 
264 1 |c 2016 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 17.07.2018 
500 |a Date Revised 01.10.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
520 |a © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a Large-area "in situ" transition-metal substitution doping for chemical-vapor-deposited semiconducting transition-metal-dichalcogenide monolayers deposited on dielectric substrates is demonstrated. In this approach, the transition-metal substitution is stable and preserves the monolayer's semiconducting nature, along with other attractive characteristics, including direct-bandgap photoluminescence 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a band structure 
650 4 |a chemical vapor deposition 
650 4 |a electronic properties 
650 4 |a monolayer transition-metal dichalcogenides 
650 4 |a transition-metal doping 
700 1 |a Kim, Young Duck  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Liang, Liangbo  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Idrobo, Juan Carlos  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chow, Phil  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Tan, Jiawei  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Baichang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Lu  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Sumpter, Bobby G  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lu, Toh-Ming  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Meunier, Vincent  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Hone, James  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Koratkar, Nikhil  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 28(2016), 44 vom: 20. Nov., Seite 9735-9743  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:28  |g year:2016  |g number:44  |g day:20  |g month:11  |g pages:9735-9743 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201601104  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 28  |j 2016  |e 44  |b 20  |c 11  |h 9735-9743