Gate-Tunable Hole and Electron Carrier Transport in Atomically Thin Dual-Channel WSe2 /MoS2 Heterostructure for Ambipolar Field-Effect Transistors

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 43 vom: 13. Nov., Seite 9519-9525
Auteur principal: Lee, Inyeal (Auteur)
Autres auteurs: Rathi, Servin, Lim, Dongsuk, Li, Lijun, Park, Jinwoo, Lee, Yoontae, Yi, Kyung Soo, Dhakal, Krishna P, Kim, Jeongyong, Lee, Changgu, Lee, Gwan-Hyoung, Kim, Young Duck, Hone, James, Yun, Sun Jin, Youn, Doo-Hyeb, Kim, Gil-Ho
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2016
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article MoS2 WSe2 dual-channel heterostructures photoresponse