Multibit MoS2 Photoelectronic Memory with Ultrahigh Sensitivity

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 41 vom: 26. Nov., Seite 9196-9202
1. Verfasser: Lee, Dain (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Hwang, Euyheon, Lee, Youngbin, Choi, Yongsuk, Kim, Jong Su, Lee, Seungwoo, Cho, Jeong Ho
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoS2 memory devices, floating gates multilevel programs nonvolatile photoelectronic memory