Isoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe2 for Carrier Type Modulation

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 37 vom: 08. Okt., Seite 8240-8247
1. Verfasser: Li, Xufan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lin, Ming-Wei, Basile, Leonardo, Hus, Saban M, Puretzky, Alexander A, Lee, Jaekwang, Kuo, Yen-Chien, Chang, Lo-Yueh, Wang, Kai, Idrobo, Juan C, Li, An-Ping, Chen, Chia-Hao, Rouleau, Christopher M, Geohegan, David B, Xiao, Kai
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Mo1-xWxSe2 alloys carrier type modulation isoelectronic p−n homojunctions