Near Room-Temperature Memory Devices Based on Hybrid Spin-CrossoverSiO2 Nanoparticles Coupled to Single-Layer Graphene Nanoelectrodes

Near Room-Temperature Memory Devices Based on Hybrid Spin-CrossoverSiO2 Nanoparticles Coupled to Single-Layer Graphene Nanoelectrodes

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 33 vom: 09. Sept., Seite 7228-33
1. Verfasser: Holovchenko, Anastasia (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Dugay, Julien, Giménez-Marqués, Mónica, Torres-Cavanillas, Ramón, Coronado, Eugenio, van der Zant, Herre S J
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article bistability graphene molecular electronics molecular spintronics nanoparticles spin-crossover
Online verfügbar Volltext