Bandgap Restructuring of the Layered Semiconductor Gallium Telluride in Air

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 30 vom: 12. Aug., Seite 6465-70
1. Verfasser: Fonseca, Jose J (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tongay, Sefaattin, Topsakal, Mehmet, Chew, Annabel R, Lin, Alan J, Ko, Changhyun, Luce, Alexander V, Salleo, Alberto, Wu, Junqiao, Dubon, Oscar D
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article band structure modification gallium telluride layered semiconductors oxygen chemisorption