Ferroelectrically Gated Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides as Nonvolatile Memory

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 15 vom: 20. Apr., Seite 2923-30
1. Verfasser: Ko, Changhyun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lee, Yeonbae, Chen, Yabin, Suh, Joonki, Fu, Deyi, Suslu, Aslihan, Lee, Sangwook, Clarkson, James David, Choe, Hwan Sung, Tongay, Sefaatin, Ramesh, Ramamoorthy, Wu, Junqiao
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. 2D materials ferroelectrics field-effect transistors nonvolatile memory transition-metal dichalcogenides