Black Arsenic-Phosphorus Layered Anisotropic Infrared Semiconductors with Highly Tunable Compositions and Properties

Black Arsenic-Phosphorus : Layered Anisotropic Infrared Semiconductors with Highly Tunable Compositions and Properties

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 30 vom: 27. Aug., Seite 4423-4429
1. Verfasser: Liu, Bilu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Köpf, Marianne, Abbas, Ahmad N, Wang, Xiaomu, Guo, Qiushi, Jia, Yichen, Xia, Fengnian, Weihrich, Richard, Bachhuber, Frederik, Pielnhofer, Florian, Wang, Han, Dhall, Rohan, Cronin, Stephen B, Ge, Mingyuan, Fang, Xin, Nilges, Tom, Zhou, Chongwu
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article anisotropic band gaps black arsenic black phosphorus infrared semiconductors layered materials
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520 |a New layered anisotropic infrared semiconductors, black arsenic-phosphorus (b-AsP), with highly tunable chemical compositions and electronic and optical properties are introduced. Transport and infrared absorption studies demonstrate the semiconducting nature of b-AsP with tunable bandgaps, ranging from 0.3 to 0.15 eV. These bandgaps fall into the long-wavelength infrared regime and cannot be readily reached by other layered materials 
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