Black Arsenic-Phosphorus : Layered Anisotropic Infrared Semiconductors with Highly Tunable Compositions and Properties

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 30 vom: 27. Aug., Seite 4423-4429
1. Verfasser: Liu, Bilu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Köpf, Marianne, Abbas, Ahmad N, Wang, Xiaomu, Guo, Qiushi, Jia, Yichen, Xia, Fengnian, Weihrich, Richard, Bachhuber, Frederik, Pielnhofer, Florian, Wang, Han, Dhall, Rohan, Cronin, Stephen B, Ge, Mingyuan, Fang, Xin, Nilges, Tom, Zhou, Chongwu
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article anisotropic band gaps black arsenic black phosphorus infrared semiconductors layered materials