Structural investigations of the α12 Si-Ge superstructure

This article reports the X-ray diffraction-based structural characterization of the α12 multilayer structure SiGe2Si2Ge2SiGe12 [d'Avezac, Luo, Chanier & Zunger (2012 ▶). Phys. Rev. Lett.108, 027401], which is predicted to form a direct bandgap material. In particular, structural parameters...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied crystallography. - 1998. - 48(2015), Pt 1 vom: 01. Feb., Seite 262-268
1. Verfasser:	Etzelstorfer, Tanja (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ahmadpor Monazam, Mohammad Reza, Cecchi, Stefano, Kriegner, Dominik, Chrastina, Daniel, Gatti, Eleonora, Grilli, Emanuele, Rosemann, Nils, Chatterjee, Sangam, Holý, Vaclav, Pezzoli, Fabio, Isella, Giovanni, Stangl, Julian
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Journal of applied crystallography
Schlagworte:	Journal Article X-ray diffraction direct bandgap materials silicon wafers superlattice structure