Pt/Ta2 O5 /HfO2- x /Ti resistive switching memory competing with multilevel NAND flash

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 25 vom: 01. Juli, Seite 3811-6
1. Verfasser: Yoon, Jung Ho (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Kyung Min, Song, Seul Ji, Seok, Jun Yeong, Yoon, Kyung Jean, Kwon, Dae Eun, Park, Tae Hyung, Kwon, Young Jae, Shao, Xinglong, Hwang, Cheol Seong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article electroforming-free multilevel switching resistive switching memory self-rectifying uniformity