High mobility and low density of trap states in dual-solid-gated PbS nanocrystal field-effect transistors

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 12 vom: 25. März, Seite 2107-12
1. Verfasser: Nugraha, Mohamad Insan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Häusermann, Roger, Bisri, Satria Zulkarnaen, Matsui, Hiroyuki, Sytnyk, Mykhailo, Heiss, Wolfgang, Takeya, Jun, Loi, Maria Antonietta
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ambipolar transistors colloidal nanocrystals density of trap states field effect transistors