Performance potential and limit of MoS2 transistors

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 9 vom: 04. März, Seite 1547-52
1. Verfasser: Li, Xuefei (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yang, Lingming, Si, Mengwei, Li, Sichao, Huang, Mingqiang, Ye, Peide, Wu, Yanqing
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoS2 low frequency noise negative differential resistance pulsed IV transistor