The origin of excellent gate-bias stress stability in organic field-effect transistors employing fluorinated-polymer gate dielectrics

The origin of excellent gate-bias stress stability in organic field-effect transistors employing fluorinated-polymer gate dielectrics

© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 42 vom: 12. Nov., Seite 7241-6
1. Verfasser: Kim, Jiye (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Jang, Jaeyoung, Kim, Kyunghun, Kim, Haekyoung, Kim, Se Hyun, Park, Chan Eon
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't fluorinated polymers gate-bias stabilities organic field-effect transistors Polymers Polystyrenes Silicon Dioxide 7631-86-9 Nitrogen N762921K75
Online verfügbar Volltext