Phase stability and defect physics of a ternary ZnSnN(2) semiconductor first principles insights

Phase stability and defect physics of a ternary ZnSnN(2) semiconductor : first principles insights

© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 2 vom: 15. Jan., Seite 311-5
1. Verfasser: Chen, Shiyou (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Narang, Prineha, Atwater, Harry A, Wang, Lin-Wang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. ZnSnN2 semiconductor carrier concentration defects first principles calculation phase stability
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