Phase stability and defect physics of a ternary ZnSnN(2) semiconductor first principles insights

Phase stability and defect physics of a ternary ZnSnN(2) semiconductor : first principles insights

© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 2 vom: 15. Jan., Seite 311-5
Auteur principal: Chen, Shiyou (Auteur)
Autres auteurs: Narang, Prineha, Atwater, Harry A, Wang, Lin-Wang
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2014
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. ZnSnN2 semiconductor carrier concentration defects first principles calculation phase stability
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