Tunable electroluminescence in planar graphene/SiO(2) memristors

Tunable electroluminescence in planar graphene/SiO(2) memristors

© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 25(2013), 39 vom: 18. Okt., Seite 5593-8
1. Verfasser: He, Congli (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Jiafang, Wu, Xing, Chen, Peng, Zhao, Jing, Yin, Kuibo, Cheng, Meng, Yang, Wei, Xie, Guibai, Wang, Duoming, Liu, Donghua, Yang, Rong, Shi, Dongxia, Li, Zhiyuan, Sun, Litao, Zhang, Guangyu
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Si nanocrystals electroluminescence graphene/SiO2 nanogap devices memristor
LEADER 01000caa a22002652 4500
001 NLM229808905
003 DE-627
005 20250215181939.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2013 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201302447  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed25n0766.xml 
035 |a (DE-627)NLM229808905 
035 |a (NLM)23922289 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a He, Congli  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Tunable electroluminescence in planar graphene/SiO(2) memristors 
264 1 |c 2013 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 14.05.2014 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
520 |a © 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a Electroluminescence and resistive switching are first realized simultaneously in graphene/SiO2 memristor devices. The electroluminescence peaks can be tuned between 550 nm and 770 nm reliably via setting the device to different resistance states by applying different voltages. The combination of resistive switching and electroluminescence may bring new functionalities for these memristor devices which are fully compatible with silicon-based electronics 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a Research Support, Non-U.S. Gov't 
650 4 |a Si nanocrystals 
650 4 |a electroluminescence 
650 4 |a graphene/SiO2 nanogap devices 
650 4 |a memristor 
700 1 |a Li, Jiafang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wu, Xing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chen, Peng  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhao, Jing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yin, Kuibo  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Cheng, Meng  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yang, Wei  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Xie, Guibai  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Duoming  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Liu, Donghua  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yang, Rong  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Shi, Dongxia  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Zhiyuan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Sun, Litao  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhang, Guangyu  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 25(2013), 39 vom: 18. Okt., Seite 5593-8  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:25  |g year:2013  |g number:39  |g day:18  |g month:10  |g pages:5593-8 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201302447  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 25  |j 2013  |e 39  |b 18  |c 10  |h 5593-8