High mobility N-type transistors based on solution-sheared doped 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene thin films

Copyright © 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 25(2013), 33 vom: 06. Sept., Seite 4663-7
1. Verfasser: Naab, Benjamin D (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Himmelberger, Scott, Diao, Ying, Vandewal, Koen, Wei, Peng, Lussem, Björn, Salleo, Alberto, Bao, Zhenan
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article blend aligned crystals complementary inverters electron traps grain boundaries organic electronics