Nonvolatile memory devices prepared from sol-gel derived niobium pentoxide films

We report on the resistive switching nonvolatile memory (RSNM) properties of niobium pentoxide (Nb(2)O(5)) films prepared using sol-gel chemistry. A sol-gel derived solution of niobium ethoxide, a precursor to Nb(2)O(5), was spin-coated on to a platinum (Pt)-coated silicon substrate, and was then an...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 29(2013), 1 vom: 08. Jan., Seite 380-6
1. Verfasser:	Baek, Hyunhee (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Lee, Chanwoo, Choi, Jungkyu, Cho, Jinhan
Format:	Online-Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2013
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:	Journal Article