Investigations on AlN/sapphire piezoelectric bilayer structure for high-temperature SAW applications

This paper explores the possibility of using AlN/sapphire piezoelectric bilayer structures for high-temperature SAW applications. To determine the temperature stability of AlN, homemade AlN/sapphire samples are annealed in air atmosphere for 2 to 20 h at temperatures from 700 to 1000°C. Ex situ X-ra...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control. - 1986. - 59(2012), 5 vom: 25. Mai, Seite 999-1005
1. Verfasser: Aubert, Thierry (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Elmazria, Omar, Assouar, Badreddine, Blampain, Eloi, Hamdan, Ahmad, Genève, Damien, Weber, Sylvain
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control
Schlagworte:Journal Article