Design of a voltage-controlled magnetic random access memory based on anisotropic magnetoresistance in a single magnetic layer

Design of a voltage-controlled magnetic random access memory based on anisotropic magnetoresistance in a single magnetic layer

Copyright © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 24(2012), 21 vom: 05. Juni, Seite 2869-73
1. Verfasser: Hu, Jia-Mian (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Zheng, Chen, Long-Qing, Nan, Ce-Wen
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S.
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