Control of efficiency, brightness, and recombination zone in light-emitting field effect transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 24(2012), 9 vom: 02. März, Seite 1171-5
1. Verfasser: Hsu, Ben B Y (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Duan, Chunhui, Namdas, Ebinazar B, Gutacker, Andrea, Yuen, Jonathan D, Huang, Fei, Cao, Yong, Bazan, Guillermo C, Samuel, Ifor D W, Heeger, Alan J
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2012
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S.