Topological insulator thin films of Bi2Te3 with controlled electronic structure

Topological insulator thin films of Bi2Te3 with controlled electronic structure

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 26 vom: 12. Juli, Seite 2929-32
1. Verfasser: Wang, Guang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhu, Xie-Gang, Sun, Yi-Yang, Li, Yao-Yi, Zhang, Tong, Wen, Jing, Chen, Xi, He, Ke, Wang, Li-Li, Ma, Xu-Cun, Jia, Jin-Feng, Zhang, Shengbai B, Xue, Qi-Kun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. bismuth telluride 1818R19OHO Tellurium NQA0O090ZJ Bismuth U015TT5I8H
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM207968136
003 DE-627
005 20231224003136.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2011 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201100678  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0693.xml 
035 |a (DE-627)NLM207968136 
035 |a (NLM)21544877 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Wang, Guang  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Topological insulator thin films of Bi2Te3 with controlled electronic structure 
264 1 |c 2011 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 24.10.2011 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status MEDLINE 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a Research Support, Non-U.S. Gov't 
650 4 |a Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. 
650 7 |a bismuth telluride  |2 NLM 
650 7 |a 1818R19OHO  |2 NLM 
650 7 |a Tellurium  |2 NLM 
650 7 |a NQA0O090ZJ  |2 NLM 
650 7 |a Bismuth  |2 NLM 
650 7 |a U015TT5I8H  |2 NLM 
700 1 |a Zhu, Xie-Gang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Sun, Yi-Yang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Yao-Yi  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhang, Tong  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wen, Jing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chen, Xi  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a He, Ke  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Li-Li  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ma, Xu-Cun  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Jia, Jin-Feng  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Zhang, Shengbai B  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Xue, Qi-Kun  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 23(2011), 26 vom: 12. Juli, Seite 2929-32  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:23  |g year:2011  |g number:26  |g day:12  |g month:07  |g pages:2929-32 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201100678  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 23  |j 2011  |e 26  |b 12  |c 07  |h 2929-32