Topological insulator thin films of Bi2Te3 with controlled electronic structure

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 23(2011), 26 vom: 12. Juli, Seite 2929-32
1. Verfasser: Wang, Guang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhu, Xie-Gang, Sun, Yi-Yang, Li, Yao-Yi, Zhang, Tong, Wen, Jing, Chen, Xi, He, Ke, Wang, Li-Li, Ma, Xu-Cun, Jia, Jin-Feng, Zhang, Shengbai B, Xue, Qi-Kun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. bismuth telluride 1818R19OHO Tellurium NQA0O090ZJ Bismuth U015TT5I8H
Beschreibung
Beschreibung:Date Completed 24.10.2011
Date Revised 30.09.2020
published: Print-Electronic
Citation Status MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201100678