Intrinsic topological insulator Bi2Te3 thin films on Si and their thickness limit

Intrinsic topological insulator Bi2Te3 thin films on Si and their thickness limit

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 36 vom: 22. Sept., Seite 4002-7
1. Verfasser: Li, Yao-Yi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Guang, Zhu, Xie-Gang, Liu, Min-Hao, Ye, Cun, Chen, Xi, Wang, Ya-Yu, He, Ke, Wang, Li-Li, Ma, Xu-Cun, Zhang, Hai-Jun, Dai, Xi, Fang, Zhong, Xie, Xin-Cheng, Liu, Ying, Qi, Xiao-Liang, Jia, Jin-Feng, Zhang, Shou-Cheng, Xue, Qi-Kun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. bismuth telluride 1818R19OHO Tellurium NQA0O090ZJ Bismuth U015TT5I8H Silicon Z4152N8IUI
Beschreibung
Beschreibung:Date Completed 07.01.2011
Date Revised 30.09.2020
published: Print
Citation Status MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.201000368