Role of gallium doping in dramatically lowering amorphous-oxide processing temperatures for solution-derived indium zinc oxide thin-film transistors

Role of gallium doping in dramatically lowering amorphous-oxide processing temperatures for solution-derived indium zinc oxide thin-film transistors

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 22(2010), 12 vom: 26. März, Seite 1346-50
1. Verfasser: Jeong, Sunho (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Ha, Young-Geun, Moon, Jooho, Facchetti, Antonio, Marks, Tobin J
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2010
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. Indium 045A6V3VFX indium oxide 4OO9KME22D Gallium CH46OC8YV4 Zinc Oxide SOI2LOH54Z
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