Nanometer-scale wetting of the silicon surface by its equilibrium oxide

Despite the extremely broad technical applications of the Si/SiO2 structure, the equilibrium wetting properties of silicon oxide on silicon are poorly understood. Here, we produce new results in which a solid-state buffer method is used to systematically titrate oxygen activity about the Si/SiO2 coe...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1992. - 24(2008), 5 vom: 04. März, Seite 1891-6
1. Verfasser: Tang, Ming (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Ramos, Ana V, Jud, Eva, Chung, Sung-Yoon, Gautier-Soyer, Martine, Cannon, Rowland M, Carter, W Craig, Chiang, Yet-Ming
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2008
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:Journal Article