Anisotropic thermal expansion behavior of thin films of polymethylsilsesquioxane, a spin-on-glass dielectric for high-performance integrated circuits

Thin films of poly(methylsilsesquioxane) (PMSSQ) are candidates for use as interdielectric layers in advanced semiconductor devices with multilayer structures. We prepared thin films of PMSSQ with thicknesses in the range 25.0-1151.0 nm by spin-casting its soluble precursor onto Si and GaAs substrat...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1985. - 20(2004), 16 vom: 03. Aug., Seite 6932-9
1. Verfasser: Oh, Weontae (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Ree, Moonhor
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2004
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:Journal Article